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半导体材料测试
LST是检测半导体材料的体微缺陷有力工具,通过CCD相机,对入射光在样品边沿的散射进行扫描,获得体微缺陷分布信息。
LEIModel1605,是非接触迁移率测试系统,可对各种半导体材料和器件结构进行测试。无需制样,消除了样品制备引起的迁移率变化。
LEI88 是针对科研类客户开发的产品,具备非接触快速测试方块电阻和电导率功能。
非接触Hal和方块电阳测试系统,可对GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各种半导体材料设计的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器件结构进行测试。
SRP 测试系统,采用扩展电阻率技术(SRP),对载流子浓度和电阻率随深度的变化做快速测试。
准稳态-光致发光可以将QSS准稳态少子寿命测试和PL光致发光技术相结合,快速获得样品的少子寿命分布图谱信息。
光致发光主要对材料能带结构,杂质浓度和缺陷,组分机理以及材料质量进行检测。WT-2000PL专门针对PL应用开发,具有非接触,快速,可变温,光斑等特点。
Semilab PV-2000A是业界功能最(zui)先进的,用于晶硅太阳能电池片生产及光伏工艺研发的非接触电学表征系统,以满足硅片到成品电池片不同工艺控制的测试需求。
LEI Model2017B,通过汞探针接触方法,对各类半导体材料的载流子浓度分布进行测试,特别适合GaN.SiC等化合物材料。
汞CV测试系统,用于对外延或前道工艺中的non-pattemed晶片做汞C-V测试;MCV-530L可测最大200mm的样品。
CV-1500,用于测试界面和介电层的科研平台,基于SDI Corona-Kelvin技术,可以进行非接触C-V/I-V测试。
深能级瞬态谱仪(DLTS)是检测半导体材料和器件缺陷和杂质的最好技术手段,它可以测定各种深能级相关参数,如深能级,俘获界面,浓度分布等。
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